砷化鎵屬于第三代半導體,它能直接將電能轉變為光能,砷化鎵燈泡壽命是普通燈泡的100倍,而耗能只有其10%,推廣砷化鎵等發光二極管(LED)照明,是節能減排的有效舉措,已知砷化鎵的晶胞結構如右圖。試回答下列問題

(1)下列說法正確的是
▲ (選填序號)。
A.砷化鎵晶胞結構與NaCl相同 B.第一電離能:As>Ga
C.電負性:As>Ga D.砷和鎵都屬于p區元素
E.半導體GaP、SiC與砷化鎵為等電子體
(2)砷化鎵是將(CH
3)
3Ga和AsH
3用MOCVD方法制備得到, 該反應在700℃進行,反應的方程式為:
▲ 。
AsH
3空間形狀為:
▲ (CH
3)
3Ga中鎵原子雜化方式為:
▲ 。
(3)Ga的核外電子排布式為:
▲ 。
(4)AsH
3沸點比NH
3低,其原因是:
▲ 。