有A、B、C、D四種元素。已知A原子的p軌道中有3個未成對電子,其氣態氫化物在水中的溶解度在同族元素所形成的氫化物中最大。B 的基態原子占據兩種形狀的原子軌道,且兩種形狀軌道中的電子總數均相同,B位于元素周期表的s區。C元素原子的外圍電子層排布式為nsn—1npn—1。 D原子M能層為全充滿狀態,且最外層電子只有一個。請回答下列問題:
(1)ACl3分子中A的雜化類型為 。ACl3分子的空間構型為 。
(2)某同學根據上述信息,推斷B的核外電子排布如右圖所示,
該同學所畫的電子排布圖違背了 。
(3)A、B、C三元素原子第一電離能由大到小的順序為 (用元素符號表示)。C60分子中每個原子只跟相鄰的3個原子形成共價鍵,且每個原子最外層都滿足8電子穩定結構,則C60分子中π鍵的數目為 。
(4)D的基態原子有 種能量不同的電子;D2+ 的價電子排布式為 。已知D晶體中微粒的堆積方式為面心立方堆積,晶體中一個晶胞的邊長為a cm,則D晶體的密度為 (寫出含a的表達式,用NA表示阿伏加德羅常數的值)。
(1)sp3雜化(2分) 三角錐型(2分)
(2)能量最低原理(2分)
(3)N Si Mg (2分) 30(2分)
(4) 7 (1分) 3d9 (1分) g/cm3(3分)
【解析】
試題分析:A原子的p軌道中有3個未成對電子,則其電子排布為ns2np3,位于周期表第VA族,因其氣態氫化物在水中的溶解度在同族元素所形成的氫化物中最大,故A必為N;B的基態原子占據兩種形狀的原子軌道,且兩種形狀軌道中的電子總數均相同,則有兩種可能,即1s22s22p4(O)或1s22s22p63s2(Mg),O位于p區而Mg位于s區,故B為Mg;因s軌道只能容納兩個電子,且電子排布時先排s軌道再排p軌道,故n=2,C的外圍電子排布為3s23p2,C為Si;D原子M能層為全充滿狀態,且最外層電子只有一個則其核外電子排布為1s22s22p63s23p63d104s1,故D為29號元素Cu。
(1)ACl3分子為NCl3,由中心原子雜化類型判斷方法,該分子價電子對為(5+3)/2=4,故中心原子為sp3雜化;因N有一個孤電子對,故分子構型為三角錐形。該分子可仿照NH3進行判斷。
(2)該同學的錯誤在于3p軌道上的電子應排在3s軌道上。電子總是先排能量低的軌道再排能量高的軌道,這是依據能量最低原理。
(3)元素第一電離能,同主族由上向下逐漸減小,故第一電離能:N>P;同周期由左向右逐漸增大,但第二、第五主族元素大于同周期第三、第六主族元素第一電離能,故第一電離能:P>Si>Mg,綜合可知,第一電離能由大到小順序為N>Si>Mg。C最外層有4個電子,其中3個與相鄰原子形成3個共價鍵;因每個原子最外層滿足8個電子穩定結構,所以每2個C各提供一個電子形成一個電子對,形成π鍵,故π鍵總數為60÷2=30個。
(4)Cu的核外電子排布為1s22s22p63s23p63d104s1,所以有7種能量不同的電子;Cu2+是Cu失去4s和3d軌道上各一個電子,共2個電子,所以價電子排布為3d9。面心立方的晶胞模型如下:
因此,每個晶胞中含有的原子數為4,則該晶體的密度為:=
g/cm3。
考點:考查軌道雜化,分子構型,核外電子排布規律,元素第一電離能,化學鍵,晶胞相關計算。
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