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在做氨的催化氧化實驗時，鉑絲不能接觸氨水，原因是…（ ）
A．鉑絲的溫度高，接觸氨水會使氨氣大量逸出 B．紅熱鉑絲會與氨水反應，使鉑絲腐蝕
C．防止鉑絲溫度降低而不能起催化作用 D．防止爆炸
C
鉑絲催化反應時，必須在一定溫度下才能進行。較高效率催化氨的氧化，鉑絲須處于較高溫度下。
練習冊系列答案
相關習題

科目：高中化學 來源：不詳 題型：填空題

（7分）按圖所表示的裝置進行實驗：

(1)實驗開始一段時間后，可觀察到錐形瓶口上方有白煙生成，請將可能觀察到的其他現象補齊_________．有關化學方程式為________________
(2)由于氣溫的原因，上述實驗一段時間后現象不太明顯，應該向錐形瓶內加入下列哪種物質才能看到明顯的現象________(填字母)。
A．NaOH固體B．生石灰C．濃H2SO4D．NH4Cl固體
(3)經過對比試驗證明。在其他條件相同時，用空氣代替氧氣的實驗效果較差，主要原因是 __________________

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科目：高中化學 來源：不詳 題型：計算題

科學家一直致力于研究常溫、常壓下“人工固氮”的新方法。曾有實驗報道：在常溫、常壓、光照條件下，N2在催化劑（摻有少量Fe2O3的TiO2）表面與水發生反應，生成的主要產物為NH3。進一步研究NH3生成量與溫度的關系，部分實驗數據見下表（光照、N2壓力1.0×105 Pa、反應時間3 h）:
T/K
303
313
323
353
NH3生成量/（10-6 mol）
4.8
5.9
6.0
2.0
相應的熱化學方程式如下：
N2(g)+3H2O(l)     2NH3(g)+O2(g)
ΔH="+765.2" kJ·mol-1
回答下列問題：
（1）請畫出上述反應在有催化劑與無催化劑兩種情況下反應過程中體系能量變化示意圖，并進行必要標注。
（2）與目前廣泛使用的工業合成氨方法相比，該方法中固氮反應速率慢。請提出可提高其反應速率且增大NH3生成量的建議：                                                  。
（3）工業合成氨的反應為N2（g）+3H2(g)      2NH3(g)。設在容積為2.0 L的密閉容器中充入
0.60 mol N2(g)和1.60 mol H2(g),反應在一定條件下達到平衡時，NH3的物質的量分數（NH3的物質的量與反應體系中總的物質的量之比）為。計算：
①該條件下N2的平衡轉化率；
②該條件下反應2NH3（g）      N2(g)+3H2(g)的平衡常數。

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科目：高中化學 來源：不詳 題型：單選題

把6mol銅粉投入含8mol硝酸和2mol硫酸的稀溶液中，則標準狀況下放出的氣體的物質的量為(    )．
A．2 molB．3 molC．4 molD．5mol

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科目：高中化學 來源：不詳 題型：實驗題

已知KNO3、Cu(NO3)2、AgNO3三種硝酸鹽熱分解的反應方程式如下(條件都是加熱)：
①2KNO3=2KNO2+O2↑
②2Cu(NO3)2=2CuO+4NO2↑+O2↑
③2AgNO3=2Ag+2NO2↑+O2↑
今有某固體可能由上述三種硝酸鹽中的一種或幾種組成。取適量該固體充分加熱，得到一定量的氣體，將這些氣體通入水中，結果全部被吸收，沒有剩余，回答：
（1）該固體是否可能只由一種鹽組成？若可能，指出是哪種鹽，若不可能，說明原因。___________________________________________________________________________________.
（2）若固體是混合物，指出它的可能組成(即物質的量之比)，若沒有這種組成，也請說明__________________________________________________________________________________。

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科目：高中化學 來源：不詳 題型：單選題

實驗室做氨的催化氧化試驗，不可能產生的物質是…（ ）
A．N2B．NO C．NO2D．NH4NO3

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科目：高中化學 來源：不詳 題型：單選題


①幕布的著火點升高                ②幕布的質量增加
③氯化銨分解吸收熱量，降低了溫度  ④氯化銨分解產生的氣體隔絕了空氣
A．①②B．③④C．③④D．②④

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科目：高中化學 來源：不詳 題型：單選題

砷化鎵屬于第三代半導體，它能直接將電能轉變為光能，砷化鎵燈泡壽命是普通燈泡的100倍，而耗能只有其10%，推廣砷化鎵等發光二極管（LED）照明，是節能減排的有效舉措，已知砷化鎵的晶胞結構如右圖。試回答下列問題

（1）下列說法正確的是     ▲       （選填序號）。
A．砷化鎵晶胞結構與NaCl相同   B．第一電離能：As＞Ga
C．電負性:As＞Ga               D．砷和鎵都屬于p區元素
E．半導體GaP、SiC與砷化鎵為等電子體
（2）砷化鎵是將(CH3)3Ga和AsH3用MOCVD方法制備得到， 該反應在700℃進行，反應的方程式為：          ▲           。
AsH3空間形狀為：     ▲      (CH3)3Ga中鎵原子雜化方式為：     ▲     。
（3）Ga的核外電子排布式為：      ▲       。
（4）AsH3沸點比NH3低，其原因是：        ▲       。

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科目：高中化學 來源：不詳 題型：單選題

原子核外電子是分層排布的，在不同電子層上運動著的電子能量是不同的，下列電子層上運動的電子能量最高的是（　�。�
A．L層B．K層C．N層D．M層

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