晶體硅是一種重要的非金屬材料,制備純硅的主要步驟為:①高溫下用碳還原二氧化硅制得粗硅;②粗硅與干燥的HCl氣體反應制得SiHCl3:Si+3HClSiHCl3+H2;③SiHCl3與過量的氫氣在1000℃~1100℃時反應制得純硅。已知SiHCl3能與水劇烈反應,且在空氣中易自燃。請回答下列問題:
(1)第①步制備粗硅的化學方程式為___________________。
(2)粗硅與HCl反應完全后,經冷凝得到的SiHCl3(沸點為33.0℃)中含有少量的SiCl4(沸點57.6℃)和HCl(沸點-84.7℃),提純SiHCl3常用的方法為____________。
(3)用SiHCl3與過量的氫氣反應制備純硅的裝置如下圖所示(熱源及夾持裝置略去)。
①裝置B中的試劑是______,裝置C中的燒瓶需要加熱,其目的是________。
②反應一段時間后,裝置D中觀察到的現象是_________________,裝置D不能采用普通玻璃管的原因是_______,裝置D中發生反應的化學方程式為____
_____________________。
③為保證制備純硅實驗的成功,操作的關鍵是檢驗實驗裝置的氣密性,控制好反應溫度以及____________。
④為鑒定產品硅中是否含微量鐵單質,將試樣用稀鹽酸溶解,取上層清液后需加入的試劑是__________(填寫字母代號)。
a.碘水 b.氯水 c.NaOH溶液 d.KSCN溶液 e.Na2SO3溶液
科目:高中化學 來源: 題型:閱讀理解
A-B | A=B | A≡B | ||
CO | 鍵能(kJ?mol-1) | 357.7 | 798.9 | 1071.9 |
鍵能差值(kJ?mol-1) | 441.2 273 | |||
N2 | 鍵能(kJ?mol-1) | 154.8 | 418.3 | 941.7 |
鍵能差值(kJ?mol-1) | 263.6 523.3 |
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科目:高中化學 來源:2011-2012學年河北省高三上學期第二次月考化學試卷 題型:選擇題
甲、乙、丙是三種常見單質,X、Y、Z是常見化合物,他們之間有如下轉化關系:
已知甲是短周期金屬單質,乙、丙是短周期非金屬單質,X、Y、Z中只有一種是離子晶體。下列說法不正確的是
A.X是具有極性鍵的非極性分子 B.Z是水煤氣的主要成分之一
C.甲和X的反應是吸熱反應 D.丙是生產硅的重要原料
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科目:高中化學 來源:2011年福建省福州三中高考化學練習試卷(解析版) 題型:解答題
A-B | A=B | A≡B | ||
CO | 鍵能 | 357.7 | 798.9 | 1071.9 |
鍵能差值 | 441.2 273 | |||
N2 | 鍵能 | 154.8 | 418.3 | 941.7 |
鍵能差值 | 263.6 523.3 |
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科目:高中化學 來源: 題型:
甲、乙、丙是三種常見單質,X、Y、Z是常見化合物,他們之間有如下轉化關系:
已知甲是短周期金屬單質,乙、丙是短周期非金屬單質,X、Y、Z中只有一種是離子晶體。下列說法不正確的是
A.X是具有極性鍵的非極性分子 B.Z是水煤氣的主要成分之一
C.甲和X的反應是吸熱反應 D.丙是生產硅的重要原料
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科目:高中化學 來源:2012屆河北省三河一中高三上學期第二次月考化學試卷 題型:單選題
甲、乙、丙是三種常見單質,X、Y、Z是常見化合物,他們之間有如下轉化關系:
已知甲是短周期金屬單質,乙、丙是短周期非金屬單質,X、Y、Z中只有一種是離子晶體。下列說法不正確的是
A.X是具有極性鍵的非極性分子 | B.Z是水煤氣的主要成分之一 |
C.甲和X的反應是吸熱反應 | D.丙是生產硅的重要原料 |
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