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【題目】A、BC、D為原子序數依次增大的前四周期元素,元素A原子最外層電子數比內層多3個,元素B基態原子核外有2個未成對電子,元素C的最高價和最低價代數和等于0,元素D位于周期表ⅥB族。

1判斷離子AB2離子的空間構型為__________。A、BC 3種元素第一電離能由大到小的順序為__________________ 。(用相應的元素符號表示)

2元素A、C形成的化合物熔點很高,但比B、C形成的化合物熔點低,其原因是_________。

3A的氫化物(A2H4)分子中,A原子軌道的雜化類型是___________。

4元素BD形成的一種化合物廣泛應用于錄音磁帶上,其晶胞如右圖所示。該化合物的化學式為___________

5D的氯化物DCl3溶液中滴加氨水可形成配合物[D(NH3)3(H2O)Cl2]Cl。

①離子D3+的核外電子排布式為_________________。

1 mol該配合物中含配位鍵的數目為___________。

【答案】 V N > O > Si 兩種化合物均為原子晶體,Si—O鍵鍵能大于Si—N sp3 CrO2 [ Ar ] 3d3 6NA

【解析】元素A原子最外層電子數比內層多3個,內層電子數為2,最外層電子數為5,AN元素,元素C的最高價和最低價代數和等于0,為第ⅣA族,由于原子序數依次增大,CSi元素元素B基態原子核外有2個未成對電子,且原子序數大于N元素小于Si元素,則價電子排布只能為2s22p4,所以BO元素,元素D位于周期表ⅥB族,屬于前四周期元素,則DCr元素,綜上所述,A、B、CD四種元素依次為:N、OSi、Cr。

(1). NO2中氮原子的價電子對數=2+ =2+1=3雜化類型為sp2,原子軌道構型為平面三角形,有一對孤對電子占據一條雜化軌道,則N與兩個O形成V形,則NO2離子的空間構型為V;同一周期中,元素的第一電離能隨原子序數的增大呈增大趨勢,但N元素2p能級容納3個電子,處于半滿穩定狀態,能量較低,第一電離能大于同周期相鄰元素,則第一電離能N>O>C,同一主族從上到下元素的第一電離能逐漸減小,則第一電離能C>Si,所以N、O、Si三種元素的第一電離能由大到小的順序為N > O > Si,故答案為VN > O > Si;

(2). N、O分別與Si形成的化合物均為原子晶體,由于氮原子半徑大于氧原子半徑且Si—O鍵鍵能大于Si—N鍵,所以O、Si形成的化合物熔點較高,故答案為:兩種化合物均為原子晶體,Si—O鍵鍵能大于Si—N;

(3). N2H4分子中,每個氮原子除了形成3個σ鍵外還有1個孤電子對,所以氮原子軌道的雜化類型為sp3,故答案為:sp3;

(4). 據圖可知,在該晶胞中O原子位于體心和面心,原子數+2=4Cr位于頂點和體心,數目為:+1=2,CrO原子數目之比為1:2,則化學式為CrO2,故答案為:CrO2

(5). ①. Cr原子序數為24,價電子排布式為3d54s1,Cr原子失去最外層電子和次外層2個電子生成Cr3+,Cr3+電子排布式為[ Ar ] 3d3,故答案為:[ Ar ] 3d3;

②. 1mol該配合物中含有3molNH3,1molH2O2molCl,配位數為6,則1 mol該配合物中含配位鍵的數目為6NA,故答案為:6NA。

練習冊系列答案
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B.②③
C.③①
D.①②③

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