核聚變反應需要幾百萬度以上的高溫,為把高溫條件下高速運動的離子約束在小范圍內(否則不可能發生核反應),通常采用磁約束的方法(托卡馬克裝置)。如圖所示,環狀勻強磁場圍成中空區域,中空區域中的帶電粒子只要速度不是很大,都不會穿出磁場的外邊緣而被約束在該區域內。設環狀磁場的內半徑為R1=0.5m,外半徑R2=1.0m,磁場的磁感強度B=1.0T,若被束縛帶電粒子的荷質比為q/m=4×c/㎏,中空區域內帶電粒子具有各個方向的速度。試計算
(1)粒子沿環狀的半徑方向射入磁場,不能穿越磁場的最大速度。
(2)所有粒子不能穿越磁場的最大速度。
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核聚變反應需要幾百萬度以上的高溫,為把高溫條件下高速運動的離子約束在小范圍內(否則不可能發生核反應),通常采用磁約束的方法(托卡馬克裝置)。如圖所示,環狀勻強磁場圍成中空區域,中空區域中的帶電粒子只要速度不是很大,都不會穿出磁場的外邊緣而被約束在該區域內。設環狀磁場的內半徑為R1=0.5m,外半徑R2=1.0m,磁場的磁感強度B=1.0T,若被束縛帶電粒子的荷質比為q/m=4×107C/㎏,中空區域內帶電粒子具有各個方向的速度。
求:(1)粒子沿環狀的半徑方向射入磁場,不能穿越磁場的最大速度。
(2)所有粒子不能穿越磁場的最大速度。
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科目:高中物理 來源:2012年滬科版高中物理選修3-1 5.6洛倫茲力與現代科技練習卷(解析版) 題型:計算題
核聚變反應需要幾百萬度以上的高溫,為把高溫條件下高速運動的離子約束在小范圍內(否則不可能發生核反應),通常采用磁約束的方法(托卡馬克裝置)。如圖所示,環狀勻強磁場圍成中空區域,中空區域中的帶電粒子只要速度不是很大,都不會穿出磁場的外邊緣而被約束在該區域內。設環狀磁場的內半徑為R1=0.5m,外半徑R2=1.0m,磁場的磁感強度B=1.0T,若被束縛帶電粒子的荷質比為q/m=4×107C/㎏,中空區域內帶電粒子具有各個方向的速度。
求:(1)粒子沿環狀的半徑方向射入磁場,不能穿越磁場的最大速度。
(2)所有粒子不能穿越磁場的最大速度。
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科目:高中物理 來源:2011-2012蚌埠二中高三12月月考物理試卷 題型:計算題
核聚變反應需要幾百萬度以上的高溫,為把高溫條件下高速運動的離子約束在小范圍內(否則不可能發生核反應),通常采用磁約束的方法(托卡馬克裝置)。如圖所示,環狀勻強磁場圍成中空區域,中空區域中的帶電粒子只要速度不是很大,都不會穿出磁場的外邊緣而被約束在該區域內。設環狀磁場的內半徑為R1=0.5m,外半徑R2=1.0m,磁場的磁感強度B=1.0T,若被束縛帶電粒子的荷質比為q/m=4×107C/㎏,中空區域內帶電粒子具有各個方向的速度。
求:(1)粒子沿環狀的半徑方向射入磁場,不能穿越磁場的最大速度。
(2)所有粒子不能穿越磁場的最大速度。
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