【題目】如圖所示的平行板器件中,存在相互垂直的勻強磁場和勻強電場,磁場的磁感應強度B1=0.20T,方向垂直紙面向里,電場強度E1=1.0×105V/m,PQ為板間中線。緊靠平行板右側邊緣坐標系的第一象限內,有一邊界AO、與
軸的夾角∠
=450,該邊界線的上方有垂直紙面向外的勻強磁場,磁感應強度B2=0.25T,邊界線的下方有豎直向上的勻強電場,電場強度E2=5.0×105V/m。一束帶電荷量q=8.0×10-19C、質量m=8.0×10-26Kg的正離子從P點射入平行板間,沿中線PQ做直線運動,穿出平行板后從
軸上坐標為(0,0.4 m)的Q點垂直
軸射入磁場區,多次穿越邊界線OA。離子重力不計,求:
(1)離子在平行板間運動的速度;
(2)離子進入磁場中時做圓周運動的軌道半徑r;
(3)研究離子運動的軌跡,試求出離子從進入磁場到第二次穿越邊界線OA所需的時間;
(4)離子第四次穿越邊界線OA的位置坐標。
【答案】(1)(2)0.2m(3)
(4)
【解析】
試題分析:(1)離子做直線運動,,解得
(2)離子進入磁感應強度為B2的磁場中做勻速圓周運動,
得m
(3)離子軌跡如圖,交OA邊界C點,由幾何關系證明知,圓弧對應圓心角900,
運動時間
離子過C點速度方向豎直向下,平行于電場線進入電場做勻減速直線運動,
加速度
返回邊界上的C點時間t2,由勻變速直線運動規律知
所以離子從進入磁場到第二次穿越邊界0A所用時間
(4)離子第二次穿越邊界線OA的位置C點的坐標為,則
離子從C點以豎直向上的速度垂直進入磁場做勻速直線運動,恰好完成圓弧,如圖,后以水平向右的速度從D點離開磁場進入電場,離子第三次穿越邊界OA,設D點坐標為
,由幾何關系得
,
離子垂直進入電場做類平拋運動,垂直電場線位移為x,沿電場線位移y,
解得,
所以第四次穿越邊界的E點,坐標由幾何關系得
即位置坐標為
科目:高中物理 來源: 題型:
【題目】如圖,在xOy直角坐標系中,在第三象限有一平行x軸放置的平行板電容器,板間電壓U=1×102V。現有一質量m=1.0×10-12kg,帶電荷量q=2.0×10-10C的帶正電的粒子(不計重力),從下極板處由靜止開始經電場加速后通過上板上的小孔,垂直x軸從A點進入第二象限的勻強磁場中。磁場方向垂直紙面向外,磁感應強度B=1 T。粒子在磁場中轉過四分之一圓周后又從B點垂直y軸進入第一象限,第一象限中有平行于y軸負方向的勻強電場E,粒子隨后經過x軸上的C點,已知OC=1 m。求:
(1)粒子在磁場中做勻速圓周運動的半徑r;
(2)第一象限中勻強電場場強E的大小。
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【題目】關于物體的運動,下列說法中正確的是( )
A.物體在恒力作用下一定做直線運動
B.物體在變力作用下一定做曲線運動
C.物體的速度方向與合外力方向不在同一直線上時,物體做曲線運動
D.加速度不為零且保持不變的運動是勻變速運動
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【題目】根據閉合電路歐姆定律,用圖甲所示的電路可以測定電池的電動勢和內電阻,R為一變阻箱,改變R的阻值,可讀出電壓表V相應的示數U。對測得的實驗數據進行處理,就可以實現測量目的.根據實驗數據在坐標系中描出坐標點,如圖乙所示,已知R0=100Ω,請完成以下數據分析和處理.
(1)圖乙中電阻為 Ω的數據點應剔除;
(2)在坐標紙上畫出關系圖線;
(3)圖線的斜率是 ,由此可得電池電動勢E= V。(結果均保留兩位有效數字)
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【題目】關于電場,下列說法正確的是( )
A. 在電場中a、b兩點間移動電荷的過程中,電場力始終不做功,則電荷經過的路徑上各點的場強一定為零
B. 電場強度的方向一定與電勢降落的方向一致
C. 電場中,正電荷的電勢高的地方電勢能大,負電荷在電勢低的地方電勢能大
D. 電場中電勢為零的點,電場強度也一定為零
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【題目】如圖所示,傾角為30°,重為80N的斜面體靜止在水平面上.一根輕桿一端垂直固定在斜面體上,桿的另一端固定一個重為2N的小球,小球處于靜止狀態時,說法正確的是( )
A. 斜面有向左運動的趨勢
B. 地面對斜面的支持力為80N
C. 球對輕桿的作用力為2N,方向豎直向下
D. 輕桿對小球的作用力為2N,方向垂直斜面向上
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【題目】如圖所示,OA、OB、OC三段輕繩結于O點,OB水平且與放置在水平面上質量為m1=1.5kg的物體乙相連,OC下方懸掛物體甲.此時物體乙恰好未滑動,已知OA與豎直方向的夾角θ=37°,物體乙與地面間的動摩擦因數μ=0.2,可以認為最大靜摩擦力與滑動摩擦力相等.g=10m/s2(sin37°=0.6,cos37°=0.8).求:
(1)OB繩對物體乙的拉力是多大?
(2)物體甲的質量m2為多少?
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【題目】利用霍爾效應制作的霍爾元件以及傳感器,廣泛應用于測量和自動控制等領域。圖中一塊長為a、寬為b、厚為c的半導體樣品薄片放在沿y軸正方向的勻強磁場中,磁感應強度大小為B。當有大小為I、沿x軸正方向的恒定電流通過樣品板時,會在與z軸垂直的兩個側面之間產生電勢差,這一現象稱為霍爾效應。其原因是薄片中的移動電荷受洛倫茲力的作用向一側偏轉和積累,于是上、下表面間建立起電場EH,同時產生霍爾電勢差UH。當電荷所受的電場力與洛倫茲力處處相等時,EH和UH達到穩定值,UH的大小與I和B滿足關系UH=kHIB,其中kH稱為霍爾元件靈敏度。已知此半導體材料是電子導電,薄片內單位體積中導電的電子數為n,電子的電荷量為e。下列說法中正確的是
A.半導體樣品的上表面電勢高于下表面電勢
B.霍爾元件靈敏度與半導體樣品薄片的長度a、寬度b均無關
C.在其他條件不變時,單位體積中導電的電子數n越大,霍爾元件靈敏度越高
D.在其他條件不變時,沿磁場方向半導體薄片的厚度c越大,霍爾元件靈敏度越高
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