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【題目】如圖所示的平行板器件中,存在相互垂直的勻強磁場和勻強電場,磁場的磁感應強度B1=020T,方向垂直紙面向里,電場強度E1=10×105V/m,PQ為板間中線。緊靠平行板右側邊緣坐標系的第一象限內,有一邊界AO、與軸的夾角∠=450,該邊界線的上方有垂直紙面向外的勻強磁場,磁感應強度B2=025T,邊界線的下方有豎直向上的勻強電場,電場強度E2=50×105V/m。一束帶電荷量q=80×10-19C、質量m=80×10-26Kg的正離子從P點射入平行板間,沿中線PQ做直線運動,穿出平行板后從軸上坐標為0,04 m的Q點垂直軸射入磁場區,多次穿越邊界線OA。離子重力不計,求:

1離子在平行板間運動的速度;

2離子進入磁場中時做圓周運動的軌道半徑r;

3研究離子運動的軌跡,試求出離子從進入磁場到第二次穿越邊界線OA所需的時間;

4離子第四次穿越邊界線OA的位置坐標。

【答案】1202m34

【解析】

試題分析:1離子做直線運動,,解得

2離子進入磁感應強度為B2的磁場中做勻速圓周運動,

m

3離子軌跡如圖,交OA邊界C點,由幾何關系證明知,圓弧對應圓心角900,

運動時間

離子過C點速度方向豎直向下,平行于電場線進入電場做勻減速直線運動,

加速度

返回邊界上的C點時間t2,由勻變速直線運動規律知

所以離子從進入磁場到第二次穿越邊界0A所用時間

4離子第二次穿越邊界線OA的位置C點的坐標為,則

離子從C點以豎直向上的速度垂直進入磁場做勻速直線運動,恰好完成圓弧,如圖,后以水平向右的速度從D點離開磁場進入電場,離子第三次穿越邊界OA,設D點坐標為,由幾何關系得,

離子垂直進入電場做類平拋運動,垂直電場線位移為x,沿電場線位移y,

解得

所以第四次穿越邊界的E點,坐標由幾何關系得

即位置坐標為

練習冊系列答案
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【題目】如圖,在xOy直角坐標系中,在第三象限有一平行x軸放置的平行板電容器,板間電壓U1×102V。現有一質量m10×1012kg,帶電荷量q20×1010C的帶正電的粒子(不計重力),從下極板處由靜止開始經電場加速后通過上板上的小孔,垂直x軸從A點進入第二象限的勻強磁場中。磁場方向垂直紙面向外,磁感應強度B1 T。粒子在磁場中轉過四分之一圓周后又從B點垂直y軸進入第一象限,第一象限中有平行于y軸負方向的勻強電場E,粒子隨后經過x軸上的C點,已知OC1 m。求:

1)粒子在磁場中做勻速圓周運動的半徑r

2)第一象限中勻強電場場強E的大小。

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【題目】下列物理量中屬于矢量的一組是( )
A.力 路程
B.質量 位移
C.時間 質量
D.位移

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【題目】關于物體的運動,下列說法中正確的是( )
A.物體在恒力作用下一定做直線運動
B.物體在變力作用下一定做曲線運動
C.物體的速度方向與合外力方向不在同一直線上時,物體做曲線運動
D.加速度不為零且保持不變的運動是勻變速運動

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【題目】根據閉合電路歐姆定律,用圖甲所示的電路可以測定電池的電動勢和內電阻,R為一變阻箱,改變R的阻值,可讀出電壓表V相應的示數U。對測得的實驗數據進行處理,就可以實現測量目的根據實驗數據在坐標系中描出坐標點,如圖乙所示,已知R0=100Ω,請完成以下數據分析和處理

1圖乙中電阻為 Ω的數據點應剔除;

2在坐標紙上畫出關系圖線;

3圖線的斜率是 ,由此可得電池電動勢E= V。結果均保留兩位有效數字

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【題目】關于電場,下列說法正確的是( )

A. 在電場中ab兩點間移動電荷的過程中,電場力始終不做功,則電荷經過的路徑上各點的場強一定為零

B. 電場強度的方向一定與電勢降落的方向一致

C. 電場中,正電荷的電勢高的地方電勢能大,負電荷在電勢低的地方電勢能大

D. 電場中電勢為零的點,電場強度也一定為零

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【題目】如圖所示,傾角為30°,重為80N的斜面體靜止在水平面上.一根輕桿一端垂直固定在斜面體上,桿的另一端固定一個重為2N的小球,小球處于靜止狀態時,說法正確的是( )

A. 斜面有向左運動的趨勢

B. 地面對斜面的支持力為80N

C. 球對輕桿的作用力為2N,方向豎直向下

D. 輕桿對小球的作用力為2N,方向垂直斜面向上

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【題目】如圖所示,OA、OB、OC三段輕繩結于O點,OB水平且與放置在水平面上質量為m1=1.5kg的物體乙相連,OC下方懸掛物體甲.此時物體乙恰好未滑動,已知OA與豎直方向的夾角θ=37°,物體乙與地面間的動摩擦因數μ=0.2,可以認為最大靜摩擦力與滑動摩擦力相等.g=10m/s2(sin37°=0.6,cos37°=0.8).求:

(1)OB繩對物體乙的拉力是多大?

(2)物體甲的質量m2為多少?

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【題目】利用霍爾效應制作的霍爾元件以及傳感器,廣泛應用于測量和自動控制等領域。圖中一塊長為a、寬為b、厚為c的半導體樣品薄片放在沿y軸正方向的勻強磁場中,磁感應強度大小為B。當有大小為I、沿x軸正方向的恒定電流通過樣品板時,會在與z軸垂直的兩個側面之間產生電勢差,這一現象稱為霍爾效應。其原因是薄片中的移動電荷受洛倫茲力的作用向一側偏轉和積累,于是上、下表面間建立起電場EH,同時產生霍爾電勢差UH。當電荷所受的電場力與洛倫茲力處處相等時,EHUH達到穩定值,UH的大小與I和B滿足關系UH=kHIB,其中kH稱為霍爾元件靈敏度。已知此半導體材料是電子導電,薄片內單位體積中導電的電子數為n,電子的電荷量為e。下列說法中正確的是

A半導體樣品的上表面電勢高于下表面電勢

B霍爾元件靈敏度與半導體樣品薄片的長度a、寬度b均無關

C在其他條件不變時,單位體積中導電的電子數n越大,霍爾元件靈敏度越高

D在其他條件不變時,沿磁場方向半導體薄片的厚度c越大,霍爾元件靈敏度越高

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