【題目】如圖所示,水平轉臺上有一個質量為m的物塊,用長為L的細線將物塊連接在轉軸上,細線與豎直轉軸的夾角為θ,此時細線中張力為零,物塊與轉臺間的動摩擦因數為μ(),最大靜摩擦力等于滑動摩擦力,物塊隨轉臺由靜止開始緩慢加速轉動,則下列說法正確的是( )
A.轉臺一開始轉動,細線立即繃直對物塊施加拉力
B.當細線中出現拉力時,轉臺對物塊做的功為
C.當物體的角速度為時,轉臺對物塊的支持力為零
D.當轉臺對物塊的支持力剛好為零時,轉臺對物塊做的功為
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【題目】霍爾效應是電磁基本現象之一,我國科學家在該領域的實驗研究上取得了突破性進展。如圖甲所示,在一矩形半導體薄片的P、Q間通入電流I,同時外加與薄片垂直的磁場B,在M、N間出現電壓UH,這個現象稱為霍爾效應,UH稱為霍爾電壓,且滿足,式中d為薄片的厚度,k為霍爾系數。某同學通過實驗來測定該半導體薄片的霍爾系數。
(1)若該半導體材料是空穴(可視為帶正電粒子)導電,電流與磁場方向如圖甲所示,該同學用電壓表測量UH時,應將電壓表的“+”接線柱與_________(填“M”或“N”)端通過導線相連;
(2)已知薄片厚度d=0.40mm,該同學保持磁感應強度B=0.10T不變,改變電流I的大小,測量相應的UH值,記錄數據如下表所示;
根據表中數據,求出該材料的霍爾系數為___________(保留2位有效數字);
(3)該同學查閱資料發現,使半導體薄片中的電流反向再次測量,取兩個方向測量的平均值,可以減小霍爾系數的測量誤差,為此該同學設計了如圖乙所示的測量電路,S1、S2均為單刀雙擲開關,虛線框內為半導體薄片(未畫出)。為使電流從Q端流入,P端流出,應將S1擲向_______(填“a”或“b”),S2擲向_______(填“c”或“d”)。為了保證測量安全,該同學改進了測量電路,將一合適的定值電阻串聯在電路中。在保持其它連接不變的情況下,該定值電阻應串聯在相鄰器件______和______(填器件代號)之間。
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【題目】圖甲中的變壓器為理想變壓器,原線圈的匝數n1與副線圈的匝數n2之比為5∶1。變壓器的原線圈接如圖乙所示的正弦式電流,兩個20Ω的定值電阻串聯接在副線圈兩端。電流表、均為理想電表。則( )
A.電流表示數為0.2AB.電流表示數為5A
C.電壓表示數為4VD.通過電阻R的交流電的周期為2×10-2s
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【題目】如圖所示電路中,電源內阻忽略不計,R0的阻值小于R1的總電阻。閉合開關S,電壓表示數為U,電流表示數為I;在滑動變阻器R1的滑片P由b端滑到a端的過程中,下面說法中正確的是( 。
A.電流表示數I先變小后變大
B.電壓表示數U先變小后變大
C.電壓表示數U變化量與電流表示數I變化量比值不變
D.電壓表示數U與電流表示數I比值先變大后變小
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【題目】如圖所示,小球沿足夠長的斜面向上做勻變速直線運動,依次經a、b、c、d到達最高點e.已知xab=xbd=6 m,xbc=1 m,小球從a到c和從c到d所用的時間都是2 s,設小球經b、c時的速度分別為vb、vc,則( )
A. vc=3 m/s
B. vb=4 m/s
C. 從d到e所用時間為2 s
D. de=4 m
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【題目】如圖所示,兩端開門、內徑均勻的玻璃彎管豎直固定,兩段水銀柱將空氣柱B封閉在玻璃管左側的豎直部分。左側水銀柱A有一部分在水平管中。若保持溫度不變。向右管緩緩注入少量水則稱定后( )
A.右側水銀面高度差h1增大B.空氣柱B的長度增大
C.空氣柱B的壓強增大D.左側水銀面高度差h2減小
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【題目】如圖所示,傾角的足夠長的斜面上,放著兩個相距L0、質量均為m的滑塊A和B,滑塊A的下表面光滑,滑塊B與斜面間的動摩擦因數
。由靜止同時釋放A和B,此后若A、B發生碰撞,碰撞時間極短且為彈性碰撞。已知重力加速度為g,求:
(1)A與B開始釋放時,A、B的加速度和
;
(2)A與B第一次相碰后,B的速率;
(3)從A開始運動到兩滑塊第二次碰撞所經歷的時間t。
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【題目】圖甲為氫原子部分能級圖,大量的氫原子處于n=4的激發態,向低能級躍遷時,會輻射出若干種不同頻率的光。用輻射出的光照射圖乙光電管的陰極K,已知陰極K的逸出功為4.54eV,則( 。
A.這些氫原子能輻射4種不同頻率的光子
B.某氫原子輻射出一個光子后,核外電子的速率減小
C.陰極K逸出光電子的最大初動能為8.21eV
D.若滑動變阻器的滑片右移,電路中的光電流一定增大
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【題目】在我們的生活中,日常用品、裝飾材料、周圍的巖石、食鹽、香煙等都不同程度地含有放射性元素。其中香煙中含有釙(),具有放射性,其衰變方程為:
,半衰期為138天,則下列說法正確的是( )
A. 該衰變中釋放出的α射線的穿透能力強于γ射線的穿透能力
B. 釙()衰變過程中會釋放出能量
C. 質量為m的釙核經過276天,剩余的釙核的質量為
D. 若采用提高溫度的方法,可以改變釙()的半衰期
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