題目列表(包括答案和解析)
硅是重要的半導體材料,構成了現代電子工業的基礎;卮鹣铝袉栴}:
(1)基態Si原子中,電子占據的最高能層符號為 ,該能層具有的原子軌道數為 、電子數為 。
(2)硅主要以硅酸鹽、 等化合物的形式存在于地殼中。
(3)單質硅存在與金剛石結構類似的晶體,其中原子與原子之間以 相結合,其晶胞中共有8個原子,其中在面心位置貢獻 個原子。
(4)單質硅可通過甲硅烷(SiH4)分解反應來制備。工業上采用Mg2Si和NH4Cl在液氨介質中反應制得SiH4,該反應的化學方程式為 。
(5)碳和硅的有關化學鍵鍵能如下所示,簡要分析和解釋下列有關事實:
化學鍵 |
C—C |
C—H |
C一O |
Si—Si |
Si—H |
Si一O |
鍵能/(kJ·mol-1) |
356 |
413 |
336 |
226 |
318 |
452 |
①硅與碳同族,也有系列氫化物,但硅烷在種類和數量上都遠不如烷烴多,原因是 。
②SiH4的穩定性小于CH4,更易生成氧化物,原因是 。
(6)在硅酸鹽中,SiO44-四面體(如下圖(a))通過共用頂角氧離子可形成島狀、鏈狀、層狀、骨架網狀四大類結構型式。圖(b)為一種無限長單鏈結構的多硅酸根,其中Si原子的雜化形式為 。Si與O的原子數之比為 。
硅是重要的半導體材料,構成了現代電子工業的基礎;卮鹣铝袉栴}:
(1)基態Si原子中,電子占據的最高能層符號 ,該能層具有的原子軌道數為 、電子數為 。
(2)硅主要以硅酸鹽、 等化合物的形式存在于地殼中。
(3)單質硅存在與金剛石結構類似的晶體,其中原子與原子之間以 相結合,其晶胞中共有8個原子,其中在面心位置貢獻 個原子。
(4)單質硅可通過甲硅烷(SiH4)分解反應來制備。工業上采用Mg2Si和NH4CI在液氨介質中反應制得SiH4,該反應的化學方程式為 。
(5)碳和硅的有關化學鍵鍵能如下所示,簡要分析和解釋下列有關事實:
化學鍵 | C-C | C-H | C-O | Si-Si | Si-H | Si-O |
鍵能(KJ/mol) | 356 | 413 | 336 | 226 | 318 | 452 |
硅是重要的半導體材料,構成了現代電子工業的基礎.請回答下列問題:
(1)基態Si原子中,電子占據的最高能層符號為______,該能層具有的原子軌道數為______、電子數為______.
(2)硅主要以硅酸鹽、______等化合物的形式存在于地殼中.
(3)單質硅存在與金剛石結構類似的晶體,其中原子與原子之間以______相結合,其晶胞中共有8個原子,其中在面心位置貢獻______個原子.
(4)單質硅可通過甲硅烷(SiH4)分解反應來制備.工業上采用Mg2Si和NH4Cl在液氨介質中反應制得SiH4,該反應的化學方程式為______.
(5)碳和硅的有關化學鍵鍵能如下所示,簡要分析和解釋下列有關事實:
化學鍵 | C-C | C-H | C-O | Si-Si | Si-H | Si-O |
鍵能/(kJ?mol-1) | 356 | 413 | 336 | 226 | 318 | 452 |
①硅與碳同族,也有系列氫化物,但硅烷在種類和數量上都遠不如烷烴多,原因是______.
②SiH4的穩定性小于CH4,更易生成氧化物,原因是______.
(6)在硅酸鹽中,SiO四面體(如下圖(a))通過共用頂角氧離子可形成島狀、鏈狀、層狀、骨架網狀四大類結構型式.圖(b)為一種無限長單鏈結構的多硅酸根,其中Si原子的雜化形式為______,Si與O的原子數之比為______,化學式為______.
現用如下方法合成高效、低毒農藥殺滅菊酯( ):
(1)F分子式為_____________________;合成G的反應類型是______________。
(2)有關A的下列說法正確的是__________(填序號)。
a.A是苯的最簡單的同系物
b.A的核磁共振氫譜有5個峰
c.燃燒等物質的量A和環己烷消耗氧氣的量相等
d.A的所有原子可能處在同一平面上
e.A不能使酸性KMnO4溶液褪色
(3)寫出反應B→C的化學方程式(注明反應條件):_________________________。
(4)寫出C在足量的氫氧化鈉水溶液條件下發生充分反應的化學方程式:__________________
(5)D在硫酸存在下發生水解生成J:D J
寫出符合下列要求的J的所有同分異構體的結構簡式(可以不填滿):
________、________、________、_________、__________。
①苯環上有兩個位于間位的取代基;
②能水解成兩種有機物。
(6)α-氨基酸X與I互為同分異構體,且X是萘()的一取代物,含有碳碳叁鍵。寫出由X通過肽鍵連接而成的高聚物Y的結構簡式是 。
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