(5分)晶體硅是一種重要的非金屬材料，制備純硅的主要步驟如下：
①高溫下用碳還原二氧化硅制得粗硅
②粗硅與干燥HCl氣體反應制得SiHCl₃：Si + 3HCl（g） SiHCl₃ + H₂（g）
③SiHCl₃與過量H₂在1000-1100℃反應制得純硅：
SiHCl₃（g）+ H₂（g） Si（s）+ 3HCl（g）
已知SiHCl₃能與H₂O劇烈反應，且在空氣中易自燃。
用SiHCI₃與過量H₂反應制備純硅的裝置如下（熱源及夾持裝置略去）

(1)裝置B中的試劑是             
(2)反應一段時間后，裝置D中觀察到的現象是          ，裝置D不能采用普通玻璃管的原因是        。
(3)為保證制備純硅實驗的成功，操作的關鍵是檢查實驗裝置的氣密性，控制好反應溫度以及              。
(4)為鑒定產品硅中是否含微量鐵單質，將試樣用稀鹽酸溶解，取上層清液后需再加入的試劑是           。（填寫字母代號） 
a．碘水     b.氯水     c. NaOH溶液    d. KSCN溶液    e. Na₂SO₃溶液

(5分)晶體硅是一種重要的非金屬材料，制備純硅的主要步驟如下：

①高溫下用碳還原二氧化硅制得粗硅

②粗硅與干燥HCl氣體反應制得SiHCl₃ ：Si + 3HCl（g） SiHCl₃ + H₂（g）

③SiHCl₃與過量H₂在1000-1100℃反應制得純硅：

SiHCl₃（g） + H₂（g） Si（s）+ 3HCl（g）

已知SiHCl₃能與H₂O劇烈反應，且在空氣中易自燃。

用SiHCI₃與過量H₂反應制備純硅的裝置如下（熱源及夾持裝置略去）

 (1)裝置B中的試劑是             

(2)反應一段時間后，裝置D中觀察到的現象是           ，裝置D不能采用普通玻璃管的原因是         。

(3)為保證制備純硅實驗的成功，操作的關鍵是檢查實驗裝置的氣密性，控制好反應溫度以及               。

(4)為鑒定產品硅中是否含微量鐵單質，將試樣用稀鹽酸溶解，取上層清液后需再加入的試劑是            。（填寫字母代號） 

a．碘水     b.氯水     c. NaOH溶液    d. KSCN溶液    e. Na₂SO₃溶液

①25℃，難溶電解質的溶度積常數：K_sp[CaF₂]＝1.5×10^-10，K_sp[Mg(OH)₂]=1.8×10^-11，K_sp [Cu(OH)₂]=2.2×10^-20

②弱電解質在水溶液中存在電離常數：例如一元弱酸HAH⁺+A^-，其電離常數表達式 K_a= c（H⁺）·c (A^-)/ c (HA)（各濃度為平衡時濃度）。該常數與濃度、壓強無關，只是溫度的函數。25℃，醋酸的K_a=1.76×10^-5

③25℃時，2.0×10^-3mol·L^-1氫氟酸水溶液中，調節溶液pH（忽略體積變化），得到

c（HF）、c（F^-）與溶液pH的變化關系，如下圖所示：

請根據以上信息回答下列問題：                      

（1）25℃時，向濃度均為0.1 mol·L^-1的MgCl₂和CuCl₂混合溶液中逐滴加入氨水，先生成__________沉淀（填化學式），生成該沉淀的離子方程式為       。

（2）25℃時，HF電離常數的數值Ka            ，列式并說明得出該常數的理由                                                       。

（3）25℃時，向濃度均為0.1 mol·L^-1的相同體積的HF和醋酸兩種溶液中分別加入相同的足量鋅粒，初始時產生氫氣的速率關系為         （填“＞”“＝”或“＜”，下同）。反應結束后，產生氫氣的物質的量的關系為     ，兩溶液中c (F^-)      c (CH₃COO^-)。

（4）25℃時，4.0×10^-3mol·L^-1HF溶液與4.0×10^-4 mol·L^-1 CaCl₂溶液等體積混合，調節混合液pH為4.0（忽略調節混合液體積的變化），通過列式計算說明是否有沉淀產生。