實驗室里需要純凈的氯化鈉溶液，但現有的氯化鈉晶體中混有少量硫酸鈉和碳酸氫銨，設計一組實驗去雜質。試簡單回答下列問題。
（1）除去碳酸氫銨，用加熱方法好，還是加入強堿微熱的方法好?
答：______________，原因是____________________，判斷碳酸氫銨已完全除去的方法是__________________________。
（2）加熱的固體殘渣溶于水后，應該用氯化鋇溶液還是硝酸鋇溶液除去SO₄^2-?
答：_____________，原因是______________，判斷SO₄^2-已完全除去的方法是_________。

實驗室里需要純凈的氯化鈉溶液，但現有的氯化鈉晶體中混有少量硫酸鈉和碳酸氫銨，設計一組實驗去雜質。試簡單回答下列問題。

（1）除去碳酸氫銨，用加熱方法好，還是加入強堿微熱的方法好?

答：______________，原因是____________________，判斷碳酸氫銨已完全除去的方法是__________________________。

（2）加熱的固體殘渣溶于水后，應該用氯化鋇溶液還是硝酸鋇溶液除去SO₄^2-?

答：_____________，原因是______________，判斷SO₄^2-已完全除去的方法是_________。

要設計一套實驗室利用液體和液體加熱反應制備氣體的裝置，現設計了五步操作，正確的程序是(　　)

①將蒸餾燒瓶固定在鐵架臺上　②將酒精燈放在鐵架臺上，根據酒精燈確定鐵圈高度，固定鐵圈，放好石棉網

③用漏斗向蒸餾燒瓶中加入一種液體反應物，再向分液漏斗中加入另一種液體反應物，并將導氣管放入氣體收集器中

④檢查裝置的氣密性(利用對固定裝置微熱的方法檢查氣密性)　⑤在蒸餾燒瓶上裝好分液漏斗，連接好導氣管

A．②①⑤④③                           B．④①②⑤③

C．①②⑤④③                           D．①⑤④②③

（18分）晶體硅是一種重要的非金屬材料。制備純硅的主要步驟如下：

 ①高溫下用碳還原二氧化硅制得粗硅

②粗硅與干燥HCl氣體反應制SiHCl₃：Si＋3HCl　　　　SiHCl₃＋Ｈ₂

③SiHCl₃與過量Ｈ₂在1000～1100℃反應制得純硅。

已知SiHCl₃能與Ｈ₂Ｏ強烈反應，在空氣中易自燃。

請回答下列問題：

（1）第①步制備粗硅的化學反應方程式為　　　　　　　　　　　　　　　　　。

（2）粗硅與HCl反應完全后，經冷凝得到的SiHCl₃（沸點33.0℃）中含有少量SiCl₄（沸點57.6℃）和HCl（沸點－84.7℃），提純SiHCl₃采用的方法為：　　　　　　　　　　　　。

（3）用SiHCl₃與過量Ｈ₂反應制備純硅的裝置如下（熱源及夾持裝置略去）：

①裝置Ｂ中的試劑是　　　　　　　　，裝置Ｃ中的燒瓶需要加熱，其目的是：　　　　　　　　　。

②反應一段時間后，裝置Ｄ中觀察到的現象是　　　　　　　，裝置Ｄ不能采用普通玻璃管的原因是　　　　　，裝置Ｄ中發生反應的化學方程式為　　　　　　　　　　　　　　　。

③為保證制備純硅實驗的成功，操作的關鍵是檢查實驗裝置的氣密性，控制好反應溫度以及　　　　。

④為鑒定產品硅中是否含微量鐵單質，將試樣用稀鹽酸溶解，取上層清液后需再加入的試劑（填寫字母代號）是　　　　　　　　　　

ａ．碘水    ｂ．氯水    ｃ．ＮaＯＨ溶液     ｄ．KSCN溶液    ｅ．Ｎa₂ＳＯ₃溶液