題目列表(包括答案和解析)
從原子、分子水平上幫助我們認識物質構成的規律;以微粒之間不同的作用力為線索,研究不同類型物質的有關性質;從物質結構決定性質的視角預測物質的有關性質.
(1)下列說法正確的是 (填字母).
A.元素電負性由大到小的順序為F>O>N
B.一個苯分子含3個π鍵和6個σ鍵
C.氯化鈉和氯化銫晶體中氯離子的配位數相同
D.第一電離能的大小為Br>Se>As
(2)根據等電子體原理,羰基硫(OCS)分子的結構式為 .光氣(COCl2)各原子最外層都滿足8電子穩定結構,COCl2分子空間構型為 (用文字描述).
(3)Cu 2+基態的電子排布式為 .向硫酸銅溶液中加入過量氨水,然后加入適量乙醇,溶液中會析出深藍色的[Cu(NH3)4]SO4晶體,該物質中配位原子的雜化方式為 ,不考慮空間構型,其內界結構可用示意圖表示為 .
從原子、分子水平上幫助我們認識物質構成的規律;以微粒之間不同的作用力為線索,研究不同類型物質的有關性質;從物質結構決定性質的視角預測物質的有關性質。
(1)下列說法正確的是 (填序號)。
A.元素電負性由大到小的順序為:F>O>N
B.一個苯分子含3個π鍵和6個σ鍵
C.氯化鈉和氯化銫晶體中氯離子的配位數相同
D.第一電離能的大小為:Br>Se>As
(2)根據等電子體原理,羰基硫(OCS)分子的結構式應為 。光氣(COC12)分子內各原子最外層都滿足8電子穩定結構,則光氣分子的空間構型為 (用文字描述)。
(3)Cu2+基態電子排布式為 。向硫酸銅溶液中加入過量氨水,然后加入適量乙醇,溶液中會析出深藍色的[Cu(NH3)4]SO4晶體,該物質中配位原子的雜化方式為 ,若不考慮空間構型,其內界結構可用示意圖表示為 。
(08廣東實驗中學三模)砷化鎵屬于第三代半導體,它能直接將電能轉變為光能,砷化鎵燈泡壽命是普通燈泡的100倍,而耗能只有其10%,推廣砷化鎵等發光二極管(LED)照明,是節能減排的有效舉措,已知砷化鎵的晶胞結構如右圖。試回答下列問題
(1)下列說法正確的是 (選填序號)。
A.砷化鎵晶胞結構與NaCl相同
B.第一電離能:As>Ga
C.電負性:As>Ga
D.砷和鎵都屬于p區元素
E.半導體GaP、SiC與砷化鎵為等電子體
(2)砷化鎵是將(CH3)3Ga和AsH3用MOCVD方法制備得到, 該反應在700℃進行,反應的方程式為: 。
AsH3空間形狀為: (CH3)3Ga中碳鎵鍵之間的鍵角為: 。
(3)Ga的核外電子排布式為: 。
(4)AsH3沸點比NH3低,其原因是: 。
(5)請預測AsH3的兩種化學性質:
充電 |
放電 |
| ||
高溫高壓 |
時間/min | c(N2)/mol?L-1 | c(H2)/mol?L-1 | c(NH3)/mol?L-1 |
0 | 0.6 | 1.8 | 0 |
5 | 0.48 | X | 0.24 |
10 | 0.26 | 0.78 | 0.68 |
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