（20分）已知一個碳原子上連有兩個羥基時，易發生下列轉化：

請根據下圖回答問題：

(1)E中含有官能團的名稱是               ；③的反應類型是            ，C跟新制的氫氧化銅反應的化學方程化為                                    。

(2)已知B的相對分子質量為162，其燃燒產物中 則B的分子式為            ，F的分子式為            .

(3)在電腦芯片生產領域，高分子光阻劑是光刻蝕線寬芯片的關鍵技術.F是這種高分子光阻劑生產中的主要原料.F具有如下特點：①能跟溶液發生顯色反應：②能發生加聚反應；③芳環上的一氯代物只有兩種.

F在一定條件下發生加聚反應的化學方程式為                                     。

(4)化合物G是F的同分異構體，它屬于芳香族化合物，能發生銀鏡反應.G可能有          種結構，寫出它們的結構簡式                                      。

請根據下圖回答。

（1）E中含有的官能團的名稱是_________；③的反應類型是________，C跟新制的氫氧化銅反應的化學方程式為____________________。

（2）已知B的相對分子質量為162，其燃燒產物中?n(CO₂)∶n(H₂O)=2∶1。則B的分子式為_________，F的分子式為_________。

（3）在電腦芯片生產領域，高分子光阻劑是光刻蝕0?11 μm線寬芯片的關鍵技術。F是這種高分子光阻劑生產中的主要原料。F具有如下特點：①能跟FeCl₃溶液發生顯色反應；②能發生加聚反應；③芳環上的一氯代物只有兩種。F在一定條件下發生加聚反應的化學方程式為__________________。?

(4)化合物G是F的同分異構體，它屬于芳香族化合物，能發生銀鏡反應。G可能有_________種結構，寫出其中任一種同分異構體的結構簡式__________________。

。請根據下圖完成下列問題：

（1）E中含有的官能團的名稱是_____________；③的反應類型是_____________，C跟新制的氫氧化銅反應的化學方程式為________________________________________。

（2）已知B的相對分子質量為162，其燃燒產物中n(CO₂)∶n(H₂O)=2∶1。則B的分子式為_______________，F的分子式為_______________。

（3）在電腦芯片生產領域，高分子光阻劑是光刻蝕0.11 μm線寬芯片的關鍵技術。F是這種高分子光阻劑生產中的主要原料。F具有如下特點：①能跟FeCl₃溶液發生顯色反應；②能發生加聚反應；③芳環上的一氯代物只有兩種。F在一定條件下發生加聚反應的化學方程式為____________________________________________________________。

（4）化合物G是F的同分異構體，它屬于芳香族化合物，能發生銀鏡反應。G可能有____________種結構，寫出其中任一種同分異構體的結構簡式_________________________。