清洗和制絨是硅晶片制作的重要步驟之一，硅片化學清洗的主要目的是除去硅片表面雜質（如某些有機物，無機鹽，金屬、Si、SiO₂粉塵等）。常用的化學清洗劑有高純水、有機溶劑、雙氧水、濃酸、強堿等。其中去除硅的氧化物，通常用一定濃度的HF溶液，室溫條件下將硅片浸泡1至數分鐘。制絨是在硅片表面形成金字塔形的絨面，增加硅對太陽光的吸收。單晶制絨通常用NaOH、Na₂SiO₃等混合溶液在75～90℃反應25～35 min，效果良好�；卮鹣铝袉栴}

Ⅰ.（1）寫出晶片制絨反應的離子方程式               ，對單晶制絨1990年化學家Seidel提出了一種的電化學模型，他指出Si與NaOH溶液的反應，首先是Si與OH^一反應，生成SiO₄^4一，然后SiO₄^4一迅速水解生成H₄SiO₄�；�于此原理分析反應中氧化劑為                   。

（2）本�；瘜W興趣小組同學，為驗證Seidel的理論是否正確，完成以下實驗：

結論：從實驗上說明堿性水溶液條件下，H₂O可作                劑；NaOH作_____             劑，降低反應             。高溫無水環境下，NaOH作               劑。

Ⅱ.在工業中利用鎂制取硅：2Mg＋SiO₂2MgO＋Si，同時有副反應發生：2Mg＋SiMg₂Si，Mg₂Si遇鹽酸迅速反應生成SiH₄(硅烷)，SiH₄在常溫下是一種不穩定、易分解的氣體。如圖是進行Mg與SiO₂反應的實驗裝置：

由于氧氣的存在對該實驗有較大影響，實驗中應通入氣體X作為保護氣，試管中的固體藥品可選用________(填序號)。        a．石灰石　　　b．鋅�！　　�c．純堿

（4）實驗開始時，必須先通入X氣體，再加熱反應物，其理由是______________________________，當反應開始后，移走酒精燈反應能繼續進行，其原因是___________________________。

（5）反應結束后，待冷卻至常溫時，往反應后的混合物中加入稀鹽酸�？捎^察到閃亮的火星，產生此現象的原因用化學方程式表示為_______________________________________。

清洗和制絨是硅晶片制作的重要步驟之一，硅片化學清洗的主要目的是除去硅片表面雜質（如某些有機物，無機鹽，金屬、Si、SiO₂粉塵等）。常用的化學清洗劑有高純水、有機溶劑、雙氧水、濃酸、強堿等。其中去除硅的氧化物，通常用一定濃度的HF溶液，室溫條件下將硅片浸泡1至數分鐘。制絨是在硅片表面形成金字塔形的絨面，增加硅對太陽光的吸收。單晶制絨通常用NaOH、Na₂SiO₃等混合溶液在75～90℃反應25～35 min，效果良好�；卮鹣铝袉栴}
Ⅰ.（1）寫出晶片制絨反應的離子方程式              ，對單晶制絨1990年化學家Seidel提出了一種的電化學模型，他指出Si與NaOH溶液的反應，首先是Si與OH^一反應，生成SiO₄^4一，然后SiO₄^4一迅速水解生成H₄SiO₄。基于此原理分析反應中氧化劑為                  。
（2）本�；瘜W興趣小組同學，為驗證Seidel的理論是否正確，完成以下實驗：

（12分）材料(選修三課本第44頁實驗2-2)：向盛有硫酸銅水溶液的試管里加入氨水，首先形成難溶物，繼續加氨水，難溶物溶解，得到深藍色的透明溶液；若加入極性較小的溶劑(如乙醇)，將析出深藍色的晶體。

Ⅰ．在化學實驗和科學研究中，水是一種最常用的溶劑。水是生命之源，它與我們的生活密切相關。

（1）寫出與H2O分子互為等電子體的微粒           （填2種）。

（2）水分子在特定條件下容易得到一個H＋，形成水合氫離子（H3O＋）。下列對上述過程的描述不合理的是           。

     A．氧原子的雜化類型發生了改變          B．微粒的形狀發生了改變

     C．微粒的化學性質發生了改變            D．微粒中的鍵角發生了改變

（3）下列是鈉、碘、金剛石、干冰、氯化鈉晶體的晶胞圖(未按順序排序)。與冰的晶體類型相同的是           (請用相應的編號填寫)。

Ⅱ．膽礬晶體是配制波爾多液的主要原料，波爾多液是一種保護性殺菌劑，廣泛應用于樹木、果樹和花卉上。

(4) 寫出銅原子價電子層的電子排布式           ，與銅同一周期的副族元素的基態原子中最外層電子數與銅原子相同的元素有           (填元素符號)。

(5) 實驗時形成的深藍色溶液中的陽離子內存在的全部化學鍵類型有           。

(6) 實驗過程中加入C2H5OH后可觀察到析出深藍色Cu(NH3)4SO4·H2O晶體。實驗中所加C2H5OH的作用是           。