（8分）（化學－物質結構與性質）

C和Si元素在化學中占有極其重要的地位。

（1）寫出Si的基態原子核外電子排布式　　　　。從電負性角度分析，C、Si和O元素的非金屬活潑性由強至弱的順序為　　　　。

（2）SiC的晶體結構與晶體硅的相似，其中C原子的雜化方式為　　　　，微粒間存在的作用力是　　　　。

（3）氧化物MO的電子總數與SiC的相等，則M為　　　　（填元素符號）。MO是優良的耐高溫材料，其晶體結構與NaCl晶體相似。MO的熔點比CaO的高，其原因是　　　　。

（4）C、Si為同一主族的元素，CO₂和SiO₂化學式相似，但結構和性質有很大不同。CO₂中C與O原子間形成鍵和鍵，SiO₂中Si與O原子間不形成上述健。從原子半徑大小的角度分析，為何C、O原子間能形成，而Si、O原子間不能形成上述鍵　　　　。

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C和Si元素在化學中占有極其重要的地位。

（1）寫出Si的基態原子核外電子排布式　　　　。

從電負性角度分析，C、Si和O元素的非金屬活潑性由強至弱的順序為　　　　。

（2）SiC的晶體結構與晶體硅的相似，其中C原子的雜化方式為　　　　，微粒間存在的作用力是　　　　。

（3）氧化物MO的電子總數與SiC的相等，則M為　　　　（填元素符號）。MO是優良的耐高溫材料，其晶體結構與NaCl晶體相似。MO的熔點比CaO的高，其原因是　　　　。

（4）C、Si為同一主族的元素，CO₂和SiO₂化學式相似，但結構和性質有很大不同。CO₂中C與O原子間形成鍵和鍵，SiO₂中Si與O原子間不形成上述健。從原子半徑大小的角度分析，為何C、O原子間能形成，而Si、O原子間不能形成上述鍵　　　　。

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C和Si元素在化學中占有極其重要的地位。

（1）寫出Si的基態原子核外電子排布式　　　　。

從電負性角度分析，C、Si和O元素的非金屬活潑性由強至弱的順序為　　　　。

（2）SiC的晶體結構與晶體硅的相似，其中C原子的雜化方式為　　　　，微粒間存在的作用力是　　　　。

（3）氧化物MO的電子總數與SiC的相等，則M為　　　　（填元素符號）。MO是優良的耐高溫材料，其晶體結構與NaCl晶體相似。MO的熔點比CaO的高，其原因是　　　　。

（4）C、Si為同一主族的元素，CO₂和SiO₂化學式相似，但結構和性質有很大不同。CO₂中C與O原子間形成鍵和鍵，SiO₂中Si與O原子間不形成上述健。從原子半徑大小的角度分析，為何C、O原子間能形成，而Si、O原子間不能形成上述鍵　　　　。

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C和Si元素在化學中占有極其重要的地位。

（1）寫出Si的基態原子核外電子排布式　　　　。

從電負性角度分析，C、Si和O元素的非金屬活潑性由強至弱的順序為　　　　。

（2）SiC的晶體結構與晶體硅的相似，其中C原子的雜化方式為　　　　，微粒間存在的作用力是　　　　。

（3）氧化物MO的電子總數與SiC的相等，則M為　　　　（填元素符號）。MO是優良的耐高溫材料，其晶體結構與NaCl晶體相似。MO的熔點比CaO的高，其原因是　　　　。

（4）C、Si為同一主族的元素，CO₂和SiO₂化學式相似，但結構和性質有很大不同。CO₂中C與O原子間形成鍵和鍵，SiO₂中Si與O原子間不形成上述健。從原子半徑大小的角度分析，為何C、O原子間能形成，而Si、O原子間不能形成上述鍵　　　　。

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C和Si元素在化學中占有極其重要的地位。

（1）寫出Si的基態原子核外電子排布式　　　　。

從電負性角度分析，C、Si和O元素的非金屬活潑性由強至弱的順序為　　　　。

（2）SiC的晶體結構與晶體硅的相似，其中C原子的雜化方式為　　　　，微粒間存在的作用力是　　　　。

（3）氧化物MO的電子總數與SiC的相等，則M為　　　　（填元素符號）。MO是優良的耐高溫材料，其晶體結構與NaCl晶體相似。MO的熔點比CaO的高，其原因是　　　　。

（4）C、Si為同一主族的元素，CO₂和SiO₂化學式相似，但結構和性質有很大不同。CO₂中C與O原子間形成鍵和鍵，SiO₂中Si與O原子間不形成上述健。從原子半徑大小的角度分析，為何C、O原子間能形成，而Si、O原子間不能形成上述鍵　　　　。