18．防止HCl揮發污染環境或控制SiCl4的水解速率.防止反應過于劇烈.SiCl4(s)+2H2 ΔH=236kJ/mol (2)BaCO3+2H+=Ba2++CO2+H2O↑ 2.Ca(OH)2. 確保鈣離子完全除去2溶解度越小). (5)BaCl2溶液 高溫 19． (1)①3Fe2O3+CO 2Fe3O4+CO2 高溫 CO太多導致Fe3O4還原為鐵.CO太少Fe2O3沒有全部轉化成Fe3O4 ②CaCl2+SiO2+H2O CaSiO3+2HCl (2)將步驟4中的坩堝再加熱一定時間.放入干燥器中冷卻至室溫后稱越.重復本操作.直至兩次稱量結果不變, (3)CuSO4·3H2O.D 【查看更多】

 

題目列表(包括答案和解析)

（2010?揚州模擬）多晶硅（硅單質的一種）被稱為“微電子大廈的基石”，制備中副產物以SiCl4為主，它對環境污染很大，能遇水強烈水解，放出大量的熱．研究人員利用SiCl4水解生成的鹽酸和鋇礦粉（主要成份為BaCO3，且含有鈣、鐵、鎂等離子）制備BaCl2?2H2O，工藝流程如下．已知常溫下Fe3+、Mg2+完全沉淀的pH分別是：3.4、12.4． 
  
（1）SiCl4水解控制在40℃以下的原因是
防止HCl揮發污染環境或控制SiCl4的水解速率，防止反應過于劇烈
防止HCl揮發污染環境或控制SiCl4的水解速率，防止反應過于劇烈
．
已知：SiCl4（s）+H2（g）=SiHCl3（s）+HCl（g）△H1=+47kJ/mol；SiHCl3（s）+H2（g）=Si（s）+3HCl（g）△H2=+189kJ/mol
則由SiCl4制備硅的熱化學方程式為
SiCl4（s）+2H2（g）=Si（s）+4HCl（g）△H=+236kJ/mol
SiCl4（s）+2H2（g）=Si（s）+4HCl（g）△H=+236kJ/mol
．
（2）加鋇礦粉時生成BaCl2的離子反應方程式是
BaCO3+2H+=Ba2++CO2+H2O↑
BaCO3+2H+=Ba2++CO2+H2O↑
．
（3）加20% NaOH調節pH=12.5，得到濾渣A的主要成分是
Mg（OH）2、Ca（OH）2
Mg（OH）2、Ca（OH）2
，控制溫度70℃的目的是
確保鈣離子完全除去（或溫度越高，Ca（OH）2溶解度越小）
確保鈣離子完全除去（或溫度越高，Ca（OH）2溶解度越小）
．
（4）BaCl2濾液經蒸發濃縮、降溫結晶、過濾，再經真空干燥后得到?2H2O．實驗室中蒸發濃縮用到的含硅酸鹽的儀器有
3
3
種．
（5）為體現該工藝的綠色化學思想，該工藝中能循環利用的物質是
BaCl2溶液
BaCl2溶液
．

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多晶硅（硅單質的一種）被稱為“微電子大廈的基石”，制備中副產物以SiCl4為主，它對環境污染很大，能遇水強烈水解，放出大量的熱．研究人員利用SiCl4水解生成的鹽酸和鋇礦粉（主要成份為BaCO3，且含有鐵、鎂等離子）制備BaCl2?2H2O，工藝流程如下．已知：①常溫下Fe3+、Mg2+完全沉淀的pH分別是：3.4、12.4．
②M （BaCO3）=197g/mol，M（BaCl2?2H2O）=244g/mol

（1）SiCl4水解反應的方程式為
SiCl4+4H2O=H4SiO4↓+4HCl．
SiCl4+4H2O=H4SiO4↓+4HCl．
，SiCl4水解控制在40℃的原因是
防止HCl揮發污染環境或控制SiCl4的水解速率，防止反應過于劇烈
防止HCl揮發污染環境或控制SiCl4的水解速率，防止反應過于劇烈
．
（2）已知：SiCl4（s）+H2（g）=SiHCl3（s）+HCl（g）△H1=+47kJ/mol
SiHCl3（s）+H2（g）=Si（s）+3HCl（g）△H2=+189kJ/mol則由SiCl4制備硅的熱化學方程式為
SiCl4（s）+2H2（g）=Si（s）+4HCl（g）△H=+236kJ/mol
SiCl4（s）+2H2（g）=Si（s）+4HCl（g）△H=+236kJ/mol
．
（3）加鋇礦粉并調節pH=7的作用是使BaCO3轉化為BaCl2和
使Fe3+完全沉淀
使Fe3+完全沉淀
．
（4）加20% NaOH調節pH=12.5，得到濾渣A的主要成分是
Mg（OH）2
Mg（OH）2
．
（5）BaCl2濾液經
蒸發濃縮
蒸發濃縮
、冷卻結晶、
過濾
過濾
、洗滌，再經真空干燥后得到BaCl2?2H2O．

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