題目列表(包括答案和解析)
(16分)某離子化合物X由一種有機陽離子和一種無機陰離子組成;元素分析得到H:5.33%、C:21.17%、N:6.17%、S:35.33%、Ge:32.00%;該陽離子和陰離子都具有正四面體型的空間對稱性。
1.確定X的組成式(陰陽離子分開寫);
2.畫出陰離子的空間構型;
一定條件下X能與HgI2反應,通過自組裝合成了微孔硫化物Y;Y的陰離子是通過X的陰離子和HgS4變形四面體共用S形成的無限網狀結構。
3.寫出合成Y的反應方程式;
4.2,3-二巰基丙醇在合成Y中是不可缺少的,其可能作用是什么?
5.Y的陰離子是通過1個X中的陰離子和幾個(2、3、4)Hg相連的,說明理由;
衍射法測得該晶體Y屬于四方晶系,晶胞參數a=0.9269nm,c=1.4374nm,Z=2。
6.計算晶體Y的密度。
對樣品進行了DSC-TG研究,在320℃附近有一個強的吸熱峰,詳見右圖。
7.試確定殘留物中的主要成分是什么?
⑴第ⅢA、ⅤA元素組成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半導體材料,其晶體結構與單晶硅相似。Ga原子的電子排布式為 ▲ 。在GaN晶體中,與同一個Ga原子相連的N原子構成的空間構型為 ▲ 。在四大晶體類型中,GaN屬于 ▲ 晶體。
⑵O%銅、鐵元素能形成多種配合物。微粒間形成配位鍵的條件是:一方是能夠提供孤電子對的原子或離子,另一方是具有 ▲ 的原子或離子
⑶CuCl2溶液與乙二胺(H2N-CH2-CH2-NH2)可形成配離子:請回答下列問題:
① H、N、O三種元素的電負性由大到小的順序是 ▲ 。
②SO2分子的空間構型為 ▲ 。與SnCl4互為等電子體的一種離子的化學式為 ▲
③乙二胺分子中氮原子軌道的雜化類型為 ▲ 。乙二胺和三甲胺[N(CH3)3]均屬于胺,但乙二胺比三甲胺的沸點高的多,原因是 ▲ 。
④⑶中所形成的配離子中含有的化學鍵類型有 ▲ 。
a.配位鍵 b.極性鍵 c.離子鍵 d.非極性鍵
⑤CuCl的晶胞結構如右圖所示,其中Cl原子的配位數為 ▲ 。
⑴第ⅢA、ⅤA元素組成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半導體材料,其晶體結構與單晶硅相似。Ga原子的電子排布式為 ▲ 。在GaN晶體中,與同一個Ga原子相連的N原子構成的空間構型為 ▲ 。在四大晶體類型中,GaN屬于 ▲ 晶體。
⑵銅、鐵元素能形成多種配合物。微粒間形成配位鍵的條件是:一方是能夠提供孤電子對的原子或離子,另一方是具有 ▲ 的原子或離子
⑶CuCl2溶液與乙二胺(H2N-CH2-CH2-NH2)可形成配離子:請回答下列問題:
① H、N、O三種元素的電負性由大到小的順序是 ▲ 。
②SO2分子的空間構型為 ▲ 。與SnCl4互為等電子體的一種離子的化學式為 ▲
③乙二胺分子中氮原子軌道的雜化類型為 ▲ 。乙二胺和三甲胺[N(CH3)3]均屬于胺,但乙二胺比三甲胺的沸點高的多,原因是 ▲ 。
④⑶中所形成的配離子中含有的化學鍵類型有 ▲ 。
a.配位鍵 b.極性鍵 c.離子鍵 d.非極性鍵
⑤CuCl的晶胞結構如右圖所示,其中Cl原子的配位數為 ▲ 。
(10分)
由短周期元素組成的單質A、B、C和甲、乙、丙、丁四種化合物有下圖所示的轉換關系,已知C為密度最小的氣體,甲是電解質。
根據圖示轉化關系回答:
(1)寫出下列物質的化學式:B 、丙 、丁 。
(2)組成單質A的元素在周期表中的位置是 。
(3)乙與過量CO2反應的離子方程式____________________________。
(12分)⑴第ⅢA、ⅤA元素組成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半導體材料,其晶體結構與單晶硅相似。Ga原子的電子排布式為 ▲ 。在GaN晶體中,與同一個Ga原子相連的N原子構成的空間構型為 ▲ 。在四大晶體類型中,GaN屬于 ▲ 晶體。
⑵銅、鐵元素能形成多種配合物。微粒間形成配位鍵的條件是:一方是能夠提供孤電子對的原子或離子,另一方是具有 ▲ 的原子或離子
⑶CuCl2溶液與乙二胺(H2N-CH2-CH2-NH2)可形成配離子:請回答下列問題:
① H、N、O三種元素的電負性由大到小的順序是 ▲ 。
②SO2分子的空間構型為 ▲ 。與SnCl4互為等電子體的一種離子的化學式為 ▲
③乙二胺分子中氮原子軌道的雜化類型為 ▲ 。乙二胺和三甲胺[N(CH3)3]均屬于胺,但乙二胺比三甲胺的沸點高的多,原因是 ▲ 。
④⑶中所形成的配離子中含有的化學鍵類型有 ▲ 。
a.配位鍵 b.極性鍵 c.離子鍵 d.非極性鍵
⑤CuCl的晶胞結構如上圖所示,其中Cl原子的配位數為 ▲ 。
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