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【題目】如圖所示，發射地球同步衛星時，先將衛星發射至近地圓軌道1，然后經點火將衛星送入橢圓軌道2，然后再次點火，將衛星送入同步軌道3.軌道1、2相切于Q點，2、3相切于P點，則當衛星分別在1、2、3軌道上正常運行時，下列說法中正確的是( ).

A. 衛星在軌道3上的速率大于在軌道1上的速率

B. 衛星在軌道3上的角速度大于在軌道1上的角速度

C. 衛星在軌道1上經過Q點時的加速度大于它在軌道2上經過Q點時的加速度

D. 衛星在軌道2上經過P點時的加速度等于它在軌道3上經過P點時的加速度

【答案】D

【解析】由，解得，故在軌道1上衛星的速率大于軌道3上的速率，故A錯誤；由，解得，故在軌道3上的角速度小于在軌道1上的角速度，B正確；由，解得，在軌道1上經過Q點和軌道2上經過Q點的半徑相等，故加速度大小相等，同理，衛星在軌道2上經過P點時的加速度等于它在軌道3上經過P點時的加速度，故C錯誤D正確；

練習冊系列答案
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科目：高中物理 來源： 題型：

【題目】說明光具有粒子性的現象是（　　）

A.光電效應B.光的干涉C.光的衍射D.光的色散

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科目：高中物理 來源： 題型：

【題目】某同學為了測量金屬熱電阻在不同溫度下的阻值，設計了如圖甲所示的電路，其中為電阻箱， 為金屬熱敏電阻，電壓表可看做理想電表，電源使用的是穩壓學生電源，實驗步驟如下：

①按照電路圖連接好電路

②記錄當前的溫度

③將單刀雙擲開關S與1閉合，記錄電壓表讀數U，電阻箱阻值

④將單刀雙擲開關S與2閉合，調節變阻箱使電壓表讀數仍為U，記錄電阻箱阻值

⑤改變溫度，重復②→④的步驟

（1）則該金屬熱電阻在某一溫度下的阻值表達式為： __________，根據測量數據畫出其電阻R隨溫度變化的關系如圖乙所示；

（2）若調節電阻箱阻值，使，則可判斷，當環境溫度為_____時，金屬熱電阻消耗的功率最大。

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科目：高中物理 來源： 題型：

【題目】如圖所示，兩光滑金屬導軌，間距d＝2m，在桌面上的部分是水平的，僅在桌面上有磁感應強度B＝1T、方向豎直向下的有界磁場，電阻R＝3Ω，桌面高H＝0.8m，金屬桿ab質量m＝0.2kg，其電阻r＝1Ω，從導軌上距桌面h＝0.2m的高度處由靜止釋放，落地點距桌面左邊緣的水平距離s＝0.4m，取g＝10m/s2，求：

（1）金屬桿剛進入磁場時，R上的電流大小；

（2）整個過程中電阻R放出的熱量；

（3）磁場區域的寬度。

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科目：高中物理 來源： 題型：

【題目】為監測某化工廠的污水排放量，技術人員在該廠的排污管末端安裝了如圖所示的流量計．該裝置由絕緣材料制成，長、寬、高分別為a、b、c，左右兩端開口．在垂直于上下底面方向加磁感應強度大小為B的勻強磁場，在前后兩個內側面分別固定有金屬板作為電極．污水充滿管口從左向右流經該裝置時，接在M、N兩端間的電壓表將顯示兩個電極間的電壓U．若用Q表示污水流量（單位時間內排出的污水體積），下列說法中正確的是（ ）

A．N端的電勢比M端的高

B．若污水中正負離子數相同，則前后表面的電勢差為零

C．電壓表的示數U跟a和b都成正比，跟c無關

D．電壓表的示數U跟污水的流量Q成正比

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【題目】如圖所示，用一個沿斜面向上的恒力F將靜止在斜面底端的物體加速向上推，推到斜面中點時，撤去恒力F，之后物體恰好運動到斜面頂端并返回。已知物體從底端運動到頂端所需時間以及從頂端滑到底端所需時間相等，物體回到底端時速度大小為10m／s，則

A. 恒力F與物體所受摩擦力之比為2：1

B. 物體所受重力與物體所受摩擦力之比為3：1

C. 撤去恒力F時物體的速度大小為10m／s

D. 物體在沿斜面上升過程與下滑過程中加速度相等

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【題目】如圖所示為電阻R1和R2的伏安特性曲線，這兩條曲線把第一象限分為Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ三個區域．現把R1和R2并聯在電路中，消耗的電功率分別用P1和P2表示；并聯的總電阻設為R.下列關于P1與P2的大小關系及R的伏安特性曲線應該在的區域的說法正確的是(　　)

A. 伏安特性曲線在Ⅰ區域，P1<P2

B. 伏安特性曲線在Ⅲ區域，P1<P2

C. 伏安特性曲線在Ⅰ區域，P1>P2

D. 伏安特性曲線在Ⅲ區域，P1>P2

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【題目】宇航員到了某星球后做了如下實驗：如圖所示，在光滑的圓錐頂用長為L的細線懸掛一質量為m的小球，圓錐頂角2θ。當圓錐和球一起以周期T勻速轉動時，球恰好對錐面無壓力．已知星球的半徑為R，萬有引力常量為G．求：

（1）線的拉力；

（2）該星球表面的重力加速度；

（3）該星球的第一宇宙速度；

（4）該星球的密度．

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科目：高中物理 來源： 題型：

【題目】如圖所示，質量為m的質點靜止地放在半徑為R的半球體上，質點與半球體間的動摩擦因數為μ，質點與球心的連線與水平地面的夾角為θ，則下列說法正確的是（ ）

A.地面對半球體的摩擦力方向水平向左
B.質點所受摩擦力大小為mgcosθ
C.質點對半球體的壓力大小為mgsinθ
D.質點所受摩擦力大小為mgsinθ

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